半导体装置

专利权的终止

摘要

在内插式基板的一个主平面上接合第一裸芯片，在内插式基板的另一个主平面上接合具有比第一裸芯片宽的主平面的第二裸芯片的半导体装置，本发明通过在所述第二裸芯片的背磨面(与所述内插式基板相反侧的主平面)涂布比所述第二裸芯片线膨胀系数大的树脂，来防止所述内插式基板翘曲引起的所述第二裸芯片的破裂。

基本信息

专利标题：

半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819186A

申请号：

CN200610003017.8

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

山下志郎辻大辅畑泽秋彦竹岛英宏

申请人：

秋田电子系统股份有限公司

申请人地址：

日本秋田县

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

钟晶

优先权：

CN200610003017.8

主分类号：

H01L25/00

IPC分类号：

H01L25/00 H01L25/065 H01L25/18 H01L23/28

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L25/00

由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件

法律状态

2016-03-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101651695588
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2006100030178
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20100317
终止日期 : 20150126

2013-09-18 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101660857759
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2006100030178
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 尔必达存储器股份有限公司
变更后权利人 : PS4拉斯口有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 卢森堡卢森堡市
登记生效日 : 20130829

2010-03-17 ：

授权

2007-04-11 ：

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 秋田电子系统股份有限公司
变更后权利人 : 尔必达存储器股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本秋田县
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20070309

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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