半导体部件及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明为一种半导体部件的制造方法，其特征在于：$在多孔单晶半导体区域上形成配置了非多孔单晶半导体区域的部件；$在上述的非多孔单晶半导体表面贴以由绝缘物质构成的部件的表面，进行表面贴合之后，用腐蚀法把上述的多孔单晶半导体区域除掉。
基本信息
专利标题 ：
半导体部件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1061871A
申请号 ：
CN91108569.6
公开（公告）日 ：
1992-06-10
申请日 ：
1991-08-03
授权号 ：
CN1056940C
授权日 ：
2000-09-27
发明人 ：
米原降夫
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
范本国
优先权 ：
CN91108569.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/20 C30B25/00 C30B19/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2007-10-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
2000-09-27 ：
授权
1992-06-10 ：
公开
1992-05-20 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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