半导体装置散热用合金部件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明的目的在于提供一种如现有的复合材料一样热膨胀率较低，并且如纯铜一样导热率较大，并且机械加工性优良的散热用合金部件及其制造方法。特别是作为散热用合金部件要求各种形状，因而除了现有的熔化法以外，还提供使用能够供给制造原价低廉的各种形状的散热用合金部件的粉末烧结法的制造方法。本申请发明的合金材料，Cr在0.3质量％以上、80质量％以下，余量由Cu和不可避免的杂质构成，其中，具有如下组织：在除了100nm以上的Cr相的Cu基体中使长径100nm以下、纵横比不足10的粒子状Cr相以20个/μm2以上的密度析出。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置散热用合金部件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101163810A
申请号 ：
CN200580049470.6
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2005-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
寺尾星明小日置英明上之园聪
申请人 ：
JFE精密株式会社;杰富意钢铁株式会社
申请人地址 ：
日本新泻县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
樊卫民
优先权 ：
CN200580049470.6
主分类号 ：
C22F1/08
IPC分类号 ：
C22F1/08 B22F3/26 C22C1/04 C22C9/00 C22C27/06 C22F1/11
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C22
冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理
C22F
改变有色金属或有色合金的物理结构
C22F1/00
用热处理法或用热加工或冷加工法改变有色金属或合金的物理结构
C22F1/08
铜或铜基合金
法律状态
2021-09-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C22F 1/08
申请日 : 20051005
授权公告日 : 20110803
终止日期 : 20201005
申请日 : 20051005
授权公告日 : 20110803
终止日期 : 20201005
2011-08-03 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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