半导体制造装置用部件和半导体制造装置用部件的制造方法
授权
摘要
本说明书中，公开了能抑制第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低的技术。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于第1陶瓷构件与第2陶瓷构件之间、且用于接合第1陶瓷构件和第2陶瓷构件。接合层含有包含Gd和Al的复合氧化物、以及Al2O3，且不含AlN。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置用部件和半导体制造装置用部件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109476555A
申请号 ：
CN201780044497.9
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2017-07-13
授权号 ：
CN109476555B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
三矢耕平丹下秀夫堀田元树小川贵道
申请人 ：
日本特殊陶业株式会社
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201780044497.9
主分类号 ：
C04B37/00
IPC分类号 ：
C04B37/00 H01L21/683
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B37/00
陶瓷烧成制品与另外陶瓷烧成制品或其他制品的加热法粘接
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 37/00
申请日 : 20170713
申请日 : 20170713
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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