半导体装置用部件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种低价的半导体装置用部件及其制造方法，该半导体装置用部件可以在表面上形成高品质的镀层，高温(100℃)下的热传导率大于或等于180W/(m·K)，具有不会由螺栓紧固等导致开裂程度的韧性，并且，即使通过焊接而与其它部件接合，也不会由热应力导致脱焊。半导体装置用部件(1)，其热膨胀系数大于或等于6.5×10^－6/K而小于或等于15×10^－6/K，温度100℃下的热传导率大于或等于180W/(m·K)，其具有：基材(11)，其由原材料为粉末材料的铝－碳化硅复合材料构成，该铝－碳化硅复合材料是将颗粒状的碳化硅分散在铝或铝合金中而成，其碳化硅的含量大于或等于30质量％而小于或等于85质量％；以及表面层(12)，其与基材(11)的上下表面接合，其含有原材料为熔铸材料的铝或铝合金。

基本信息

专利标题：

半导体装置用部件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101107707A

申请号：

CN200680002780.7

公开（公告）日：

2008-01-16

申请日：

2006-01-11

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

福井彰

申请人：

联合材料公司

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

何立波

优先权：

CN200680002780.7

主分类号：

H01L23/373

IPC分类号：

H01L23/373 C22C1/05

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/34

冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置

H01L23/36

为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器

H01L23/373

为便于冷却的器件材料选择

法律状态

2018-12-28 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/373
申请日 : 20060111
授权公告日 : 20100217
终止日期 : 20180111

2010-02-17 ：

授权

2008-03-05 ：

实质审查的生效

2008-01-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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