半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体...
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明提供半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体发光器件,本发明所提供的半导体发光器件用部件的透明性、耐光性、耐热性优异,能够密封半导体发光器件,即使长期使用也不会产生裂纹和剥离。为此,本发明中使用具有下述特征的半导体发光器件用部件:(1)该部件的固体Si-核磁共振谱中具有至少一个选自由(i)和(ii)组成的组中的峰,所述(i)是峰顶的位置位于化学位移为-40ppm~0ppm的区域、半峰宽为0.3ppm~3.0ppm的峰,所述(ii)是峰顶的位置位于化学位移为-80ppm以上且小于-40ppm的区域、半峰宽为0.3ppm~5.0ppm的峰;并且,(2)该部件的硅含量为20重量%以上;(3)该部件的硅烷醇含量为0.1重量%~10重量%。

基本信息
专利标题 :
半导体发光器件用部件及其制造方法以及使用了该部件的半导体发光器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101128516A
申请号 :
CN200680005683.3
公开(公告)日 :
2008-02-20
申请日 :
2006-02-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
加藤波奈子森宽小林博外村翼
申请人 :
三菱化学株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 :
丁香兰
优先权 :
CN200680005683.3
主分类号 :
C08G77/08
IPC分类号 :
C08G77/08  C08L83/04  H01L33/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C08
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G77/00
在高分子主链中形成含硅键合,有或没有硫、氮、氧,或碳键合反应得到的高分子化合物
C08G77/04
聚硅氧烷
C08G77/06
制备的工艺过程
C08G77/08
以使用的催化剂为特征
法律状态
2017-10-24 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C08G 77/08
登记生效日 : 20170929
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三菱化学株式会社
变更后权利人 : 三菱丽阳株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京都
2017-10-24 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C08G 77/08
变更事项 : 专利权人
变更前 : 三菱丽阳株式会社
变更后 : 三菱化学株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都
2012-03-21 :
授权
2008-04-16 :
实质审查的生效
2008-02-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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