半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法
授权
摘要
本发明提供半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法。提供能够在不增加制造成本的情况下抑制在焊料接合部产生大量空隙的半导体装置用部件的制造方法。上述半导体装置用部件的制造方法包括：准备具备能够用焊接接合的金属部的第一部件的工序；以及在第一部件的金属部的表面涂布处理剂，形成在焊料的固相线温度以下的温度气化的处理被膜的工序。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置用部件、半导体装置以及它们的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106997874A
申请号 ：
CN201611093776.8
公开（公告）日 ：
2017-08-01
申请日 ：
2016-12-01
授权号 ：
CN106997874B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
佐野真二小平悦宏早乙女全纪大西一永
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙昌浩
优先权 ：
CN201611093776.8
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/498 H01L21/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2018-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/488
申请日 : 20161201
申请日 : 20161201
2017-08-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
