半导体装置及其制造方法

专利权的视为放弃

摘要

一种半导体装置及其制造方法，包括：制备表面上有由第一金属制成的第一金属层的半导体元件、和由第二金属制成的金属衬底，金属衬底的表面具有由第四金属制成的第四金属层，半导体元件安装在其表面上；在第一和第四金属层间提供通过将平均直径为100nm或更小的由第三金属制成的细颗粒分散到有机溶剂中形成的金属纳米膏；对其间有金属纳米膏的半导体元件和金属衬底加热或加热并加压，以去除溶剂。第一、第三和第四金属的每种由金、银、铂、铜、镍、铬、铁、铅、钴中任一种、包含至少一种这些金属的合金、或这些金属或合金的混合物制成。通过该方法，能将半导体元件良好地接合到金属衬底上。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819172A

申请号：

CN200610001670.0

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

小林纮二郎广濑明夫山际正宪

申请人：

日产自动车株式会社;小林纮二郎

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200610001670.0

主分类号：

H01L23/488

IPC分类号：

H01L23/488 H01L21/60 B23K35/00