半导体零部件和等离子体处理装置
授权
摘要
一种半导体零部件和等离子体处理装置，其中，所述半导体零部件包括：半导体零部件本体；耐腐蚀涂层，位于所述半导体零部件本体的表面，由稀土元素氟氧化物的结晶相和非晶相组成，且所述结晶相与非晶相位于同一层，非晶相弥散在结晶相中。所述半导体零部件应用在先进的制程中能够降低颗粒污染问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体零部件和等离子体处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021575869.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-03
授权号 ：
CN213340283U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
段蛟孙祥杨桂林陈星建
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
上海元好知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐雯琼
优先权 ：
CN202021575869.6
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 C23C14/06 C23C14/54
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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