本发明涉及一种气体分配装置、等离子体处理装置、方法及半导体结构，所述气体分配装置包括分流器、若干个主输气管道、若干个附属输气管道及喷头，喷头包括相互独立的多个气体分配区域；分流器具有与各气体分配区域一一对应设置的多个出口，且分流器的入口与第一工艺气体相连；各主输气管道与各所述出口一一对应设置，各所述出口分别经由对应的主输气管道与各气体分配区域连通；附属输气管道的入口与第二工艺气体相连，且附属输气管道的出口与对应的主输气管道的内部气密性连通；可控阀设置于附属输气管道。本申请可以针对性地控制可控阀来控制对应的附属输气管道，对需要补偿的气体分配区域的气体浓度进行补偿，提高制成半导体产品的良率。