处理装置、处理装置的消耗部件的管理方法、处理系统、以及处...
专利权的终止
摘要
即使在执行处理条件不同的多个种类的处理时，也可以不管各个处理的种类的执行比率的变动而准确的预测消耗部件的消耗量。本发明包括：计数器，测量在处理室(102)执行的每种处理种类消耗部件(例如聚焦环132)的RF放电时间；存储单元，存储具有每种处理种类的消耗系数的消耗系数信息；以及控制部(200)，取得由计数器测量的每种处理种类的RF放电时间，并通过存储单元的消耗系数信息取得每种处理种类的消耗系数，根据每种处理种类的RF放电时间和每种处理种类的消耗系数计算消耗部件的消耗度，并根据计算出来的消耗度进行消耗部件的管理处理。
基本信息
专利标题 ：
处理装置、处理装置的消耗部件的管理方法、处理系统、以及处理系统的消耗部件的管理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142660A
申请号 ：
CN200680008277.2
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
绿川良太郎
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
柳春雷
优先权 ：
CN200680008277.2
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01J37/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2015-03-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101601602656
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006800082772
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20140119
号牌文件序号 : 101601602656
IPC(主分类) : H01L 21/3065
专利号 : ZL2006800082772
申请日 : 20060119
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20140119
2009-12-09 ：
发明专利说明书更正
号 : 36
卷 : 25
页码 : 无
更正项目 : 权力要求书
误 : 错误的权力要求书1－7页
正 : 正确的权力要求书1－7页
卷 : 25
页码 : 无
更正项目 : 权力要求书
误 : 错误的权力要求书1－7页
正 : 正确的权力要求书1－7页
2009-09-09 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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