半导体处理装置及方法
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摘要
本发明涉及一种半导体处理用的处理装置，具备：容纳被处理基板的处理容器；向所述处理容器内供给处理气体的气体供给系统；对所述处理容器内进行排气的排气装置；连接所述处理容器和所述排气装置的排气管路。在排气管路上配置有开度可调阀，在所述开度可调阀的上流，具有与所述排气管路连接的导入惰性气体的惰性气体管路。配置有压力控制机构，在所述处理容器内进行处理时，在使用所述排气装置对所述处理容器进行排气，同时将所述惰性气体从所述惰性气体管路导入所述排气管路的状态下，通过调整所述开度可调阀的开度及所述惰性气体的流量中的至少一个，控制所述处理容器内的压力。
基本信息
专利标题 ：
半导体处理装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794421A
申请号 ：
CN200510132170.6
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木大介长谷川雅之远藤笃史
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510132170.6
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/31 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2010-05-05 ：
授权
2007-09-26 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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