激光处理装置、激光处理方法及半导体器件的制作方法
授权
摘要

本发明涉及一种激光处理装置以及通过使用该装置而执行的激光处理方法,其中所述激光处理装置包括:激光振荡器;提供在激光振荡器中的联锁器;按一定工作周期移动的移动台;计时器;提供在计时器中的联锁器;能够检测移动台的移动状态的传感器;以及计算机,其中,当所述传感器检测出移动台的通过时所述计时器开始测量时间,并且,在所述工作周期之后移动台还不通过传感器的情况下,提供在所述计时器中的联锁器的接点之间的电流被阻断,因此激光振荡器的联锁器开始运转,从而停止照射激光束。

基本信息
专利标题 :
激光处理装置、激光处理方法及半导体器件的制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1797707A
申请号 :
CN200510128584.1
公开(公告)日 :
2006-07-05
申请日 :
2005-11-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田中幸一郎山本良明小俣贵嗣
申请人 :
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 :
日本神奈川县
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
张雪梅
优先权 :
CN200510128584.1
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  H01L21/20  H01L21/268  H01L21/324  B23K26/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-10-14 :
授权
2008-01-23 :
实质审查的生效
2006-07-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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