加热处理装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种加热处理装置。抑制在对基板进行加热时产生的升华物所带来的不良影响。一种加热处理装置，其在处理容器内对形成有涂布膜的基板进行加热，该加热处理装置具有：载置部，其设于所述处理容器内，用于载置所述基板；加热部，其用于对载置于所述载置部的基板进行加热；抽吸管，其与形成于所述载置部的抽吸口相通，贯穿所述载置部并向正下方延伸；以及收集容器，其设于所述抽吸管和抽吸机构之间的抽吸路径，所述收集容器构成为，设于俯视时所述载置部的正下方，与所述抽吸管连接，用于收集所述处理容器内的升华物。
基本信息
专利标题 ：
加热处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021198864.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN213042875U
授权日 ：
2021-04-23
发明人 ：
高木慎介久我恭弘大塚幸信相良慎一
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202021198864.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-04-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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