基板加热处理装置以及用于基板加热处理的基板运送用托盘
授权
摘要
本发明要解决的技术问题是，提供一种能够抑制被加热处理的基板的表面粗糙的产生的基板的加热处理装置。本发明中，一种基板加热处理装置，该基板加热处理装置具有对配置在能够真空排气的处理室内的基板进行加热处理的加热构件，通过上述加热构件，对配置在上述处理室中的基板进行加热处理，在上述加热构件和基板之间配备感受器，该感受器的配置着上述基板的一侧的表面由在上述基板加热处理期间不放出气体的材料覆盖。该基板加热处理装置将上述基板夹在其间，在与上述感受器相对的一侧配备受热体，该受热体接收来自上述加热构件的通过了上述感受器的热，该受热体的配置着上述基板的一侧的表面由在上述基板加热处理期间不放出气体的材料覆盖。
基本信息
专利标题 ：
基板加热处理装置以及用于基板加热处理的基板运送用托盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101036220A
申请号 ：
CN200580033738.7
公开（公告）日 ：
2007-09-12
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柴垣真果榑松保美
申请人 ：
佳能安内华股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
何腾云
优先权 ：
CN200580033738.7
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/673 H01L21/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2011-09-07 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2007-09-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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