加热承载盘及基板处理装置
授权
摘要
本申请涉及一种加热承载盘，用于承载至少一个基板，所述加热承载盘包括至少一个承载单元，至少一个所述承载单元用于承载所述基板，每个所述承载单元包括一承载面，所述基板具有一贴合面，所述承载面的翘曲度与加热后的所述基板的贴合面的翘曲度相同使得所述贴合面与所述承载面完全贴合。本申请的加热承载盘通过每个所述承载单元的所述承载面承载基板，所述承载面的翘曲度与加热形变后的所述基板的贴合面的翘曲度相同，使得所述基板能够在加热过程中受热均匀。本申请还提供了一种基板处理装置。
基本信息
专利标题 ：
加热承载盘及基板处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123073172.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
CN216413022U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
杨然翔苏财钰伍凯义
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
廖媛敏
优先权 ：
CN202123073172.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H05B3/06 H05B3/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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