一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，包括：真空单元，包括真空泵和至少一个腔室，腔室用于容纳温控盘，真空泵通过真空管道与各个腔室连接，真空泵用于将腔室的内部形成真空；温度传感器，温度传感器分别设置在每个腔室上，用于检测腔室的温度；降温单元，包括冷水泵和冷水管，冷水管连接冷水泵与腔室；控制单元，控制单元的输入端与温度传感器电性连接，控制单元的输出端与温控盘、真空单元以及降温单元电性连接，控制单元根据温度传感器检测的温度分别控制温控盘以及降温单元。退火设备能够模拟半导体镀膜设备的工作状态，检测其性能，能够确保半导体镀膜设备是否符合生产需求。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021516455.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN213172563U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
方明喜肖学才
申请人 ：
爱利彼半导体设备（中国）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市开发区金沙江路1668号
代理机构 ：
苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周子轶
优先权 ：
CN202021516455.6
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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