一种喷头、半导体设备以及镀膜方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种喷头、半导体设备以及镀膜方法，其中，该喷头应用于半导体设备中对目标对象进行镀膜。该喷头包括：喷头主体，以及层叠设置的第一挡板和第二挡板，第一挡板上分布有第一通孔，第二挡板上分布有第二通孔，且第二挡板能够相对于第一挡板旋转，以调节喷头目标区域内由第一通孔与第二通孔构成的喷射孔的尺寸大小，能够实现多种不同形态的膜层厚度分布。
基本信息
专利标题 ：
一种喷头、半导体设备以及镀膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381715A
申请号 ：
CN202011124194.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
将镇宪白国斌高建峰杨涛李俊峰王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011124194.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20201020
申请日 : 20201020
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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