密封件镀膜设备及其镀膜方法
实质审查的生效
摘要

本申请涉及一种密封件镀膜设备及其镀膜方法,所述密封件镀膜设备包括:固定装置,清洁腔室和镀膜腔室;其中,清洁腔室设置有第一真空泵和等离子体离子源,镀膜腔室设置有第二真空泵和化学气相沉积系统;固定装置用于固定多个密封件,以及将密封件整体从清洁腔室转移到镀膜腔室内;第一真空泵用于对清洁腔室进行抽真空,等离子体离子源用于在真空环境下产生等离子体对所述固定装置上的密封件表面进行清洁;第二真空泵用于对镀膜腔室进行抽真空,化学气相沉积系统在真空环境下采用化学气相沉积工艺对镀膜腔室中所述固定装置上的密封件表面进行镀膜;该技术方案,极大地提高了镀膜效率,并且能够提升薄膜沉积的膜层质量。

基本信息
专利标题 :
密封件镀膜设备及其镀膜方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481094A
申请号 :
CN202210103814.2
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朱昆颜学庆曹健辉刘玮马伟曹祯烨陈惠君杜翰翔李冬娜刘晓兰
申请人 :
瑞昌鼎新半导体工业有限公司;等离子体装备科技(广州)有限公司;广东省新兴激光等离子体技术研究院
申请人地址 :
江西省九江市瑞昌市经开区城东产业园(赛湖标准厂房)
代理机构 :
广州市律帆知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王园园
优先权 :
CN202210103814.2
主分类号 :
C23C16/44
IPC分类号 :
C23C16/44  C23C16/50  C23C16/52  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20220127
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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