密封件镀膜方法及密封件制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种密封件镀膜方法及密封件制备方法，所述的密封件镀膜方法，包括：对基于成型工艺生产的密封件进行上料；将上料好的密封件放入清洁腔室；在清洁腔室处于真空环境下，利用等离子体对所述密封件的表面进行清洁；在清洁完成后，将所述密封件从所述清洁腔室转移到镀膜腔室；在镀膜腔室处于真空环境下，利用化学气相沉积工艺对所述密封件的镀膜部位表面进行镀膜；该技术方案，能够有效地清除密封件成型过程中残留的有机溶剂等，避免了清洗和烘干耗时长的影响，极大地提高了镀膜效率；而且能够提升薄膜沉积的膜层质量。
基本信息
专利标题 ：
密封件镀膜方法及密封件制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438475A
申请号 ：
CN202210105144.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱昆颜学庆曹健辉刘玮马伟杨锐曹祯烨陈惠君杜翰翔李冬娜刘晓兰
申请人 ：
等离子体装备科技（广州）有限公司;广东省新兴激光等离子体技术研究院
申请人地址 ：
广东省广州市白云区北太路1633号广州民营科技园科盛路8号配套服务大楼5层A505-338房
代理机构 ：
广州市律帆知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王园园
优先权 ：
CN202210105144.8
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/44
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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