自旋回波变异波谱镀膜及其制备方法
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摘要
本发明涉及自旋回波变异波谱镀膜及其制备方法，包括：⑴采用磁控溅射真空镀膜机在玻璃表面镀镀膜物质，在沉积过程施加56mT，26μs的磁场脉冲获得自旋回波变异波谱镀膜；⑵将自旋回波变异波谱镀膜和镀膜物质分别用X射线衍射仪测定纳米晶型结构；⑶采用按非相干接收方式工作的可变频率的牛津脉冲自旋回波核磁共振仪进行测量；⑷镀膜物质脉冲自旋回波波峰为252MHZ～352MHZ，自旋‑晶格豫驰时间T1：262μS～302μS，T2：23μS～25.2μS、对应的自旋回波变异波谱镀膜脉冲自旋回波波峰为285MHZ～385MHZ，自旋‑晶格豫驰时间T1：283μS～352μS，T2：29.2μS～45.5μS。
基本信息
专利标题 ：
自旋回波变异波谱镀膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113088905A
申请号 ：
CN202110303571.2
公开（公告）日 ：
2021-07-09
申请日 ：
2021-03-22
授权号 ：
CN113088905B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
焦鑫梁娟张峰吴克墀
申请人 ：
深圳力合防伪技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南七道深圳清华大学研究院C320
代理机构 ：
深圳市惠邦知识产权代理事务所
代理人 ：
满群
优先权 ：
CN202110303571.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/08 C23C14/18 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210322
申请日 : 20210322
2021-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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