一种自旋可控的真空镀膜装置
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种可在真空中使用,配合磁控溅射、加热蒸发等物理气相沉积方法的自旋可控的真空镀膜装置,属于材料技术与器件技术领域。本发明包括电源、阴极、阳极,真空室,靶材架、样品架、连轴器、马达、调速器以及真空法兰,样品架放置在靠近阳极的一侧,靶材架放置在靠近阴极的一侧,通过马达连轴器与样品架相连接,而且马达通过真空法兰与导线和外部的调速器或其他器件相连接。利用本发明装置可以同时对物体的几个面进行同时镀膜,而且很容易做到难对物体的表面进行360°均匀镀膜。
基本信息
专利标题 :
一种自旋可控的真空镀膜装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1752271A
申请号 :
CN200510030478.X
公开(公告)日 :
2006-03-29
申请日 :
2005-10-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赵振杰阮建中袁望治杨燮龙
申请人 :
华东师范大学
申请人地址 :
200062上海市中山北路3663号
代理机构 :
上海德昭知识产权代理有限公司
代理人 :
程宗德
优先权 :
CN200510030478.X
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2011-12-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101154310259
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL200510030478X
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20101013
号牌文件序号 : 101154310259
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL200510030478X
申请日 : 20051013
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20101013
2007-12-19 :
授权
2006-05-24 :
实质审查的生效
2006-03-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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