一种半导体离子注入机
授权
摘要

本实用新型公开了一种半导体离子注入机,具体涉及半导体离子注入机技术领域,包括注入机,注入机的内腔中设置有连接装置,且通过连接装置活动安装有侧板,连接装置包括安装块和连接杆,安装块的一端固定安装在注入机的拐角处,且靠近注入机内腔开口的一端中部开设有用于盛放连接杆的凸型槽,连接杆的一端固定安装在侧板靠近注入机的一侧,连接杆的外部两侧对称开设有限位槽。通过限位杆在凸型槽的内腔中放置时,然后拉动滑杆使得铰接杆往远离凸型槽内腔的方向进行滑动,从而限位杆转动至限位槽的内腔中进行放置,拉动侧板便可以将侧板和注入机之间进行分离,从而注入机和侧板之间进行拆卸的时候更加方便。

基本信息
专利标题 :
一种半导体离子注入机
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202121871168.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-08-11
授权号 :
CN216354062U
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
张玲
申请人 :
扬州信尚电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省扬州市邗江区西湖镇美湖路9号-17-1
代理机构 :
上海氦闪专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李明
优先权 :
CN202121871168.1
主分类号 :
H01J37/317
IPC分类号 :
H01J37/317  H01L21/265  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的,如离子注入
法律状态
2022-04-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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