一种半导体芯片制造离子注入设备
授权
摘要

本实用新型公开了一种半导体芯片制造离子注入设备,具体涉及离子注入机技术领域,包括真空罐和离子源,真空罐的上端面设置有用于固定离子源的固定机构,固定机构包括与真空罐上端面固定连接的第一连接块和与离子源外壁固定连接的第二连接块,第一连接块的上端面固定安装有弹性轴,弹性轴的轴向一端延伸至第二连接块的内腔通过设置第一连接块与第二连接块,其中第一连接块与第二连接块分别与离子源和真空罐连接,同时在第一连接块外壁设置与第二连接块内腔插接的弹性轴,另外在第二连接块的内腔滑动安装顶针,通过顶针刺入弹性轴的内部,使得弹性轴沿径向扩张,完成第一连接块与第二连接块的固定,实现离子源的固定安装,操作便捷。

基本信息
专利标题 :
一种半导体芯片制造离子注入设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202121873249.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-08-11
授权号 :
CN216354060U
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
张玲
申请人 :
扬州信尚电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省扬州市邗江区西湖镇美湖路9号-17-1
代理机构 :
上海氦闪专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李明
优先权 :
CN202121873249.5
主分类号 :
H01J37/08
IPC分类号 :
H01J37/08  H01J37/317  H01L21/265  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/04
电极装置及与产生或控制放电的部件有关的装置,如电子光学装置,离子光学装置
H01J37/08
离子源;离子枪
法律状态
2022-04-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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