一种半导体晶圆连续退火处理设备
授权
摘要
一种半导体晶圆连续退火处理设备，属于半导体退火设备技术领域，该连续退火处理设备，包括退火炉体以及穿过退火炉体并向其中运输晶圆的运输载台，退火炉体沿着运输载台的运输方向依次设置的升温腔室、持温腔室和降温腔室，本实用新型的有益效果是，该退火处理设备结构设计简单，在批量处理晶圆的过程中，不需要额外的等待时间，解决了单个退火腔室的退火炉等待时间过长的问题，提升了退火的效率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶圆连续退火处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123187330.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216528807U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
周帅坤文堂鹏潘恩赐林建蒋幼泉季韬袁松王敬钮应喜
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟迪
优先权 ：
CN202123187330.0
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677 H01L21/324 F27B17/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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