一种半导体晶圆批量处理用退火炉
授权
摘要
一种半导体晶圆批量处理用退火炉，属于半导体退火设备技术领域，该退火炉，包括内炉体，所述内炉体的反应室内设置有旋转载台，所述旋转载台沿其周向间隔设置有用于承载晶圆的定位槽，所述内炉体的外部设置有向内炉体传递热量的辐照加热组件，本实用新型的有益效果是，该退火炉结构设计简单，兼顾了炉管和快速退火炉的优点，作业时间短，热积存小，实现了晶圆的均匀退火和高效批量退火作业。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶圆批量处理用退火炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123187335.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216528777U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
周帅坤文堂鹏潘恩赐林建蒋幼泉季韬袁松王敬钮应喜
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟迪
优先权 ：
CN202123187335.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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