一种半导体材料退火装置
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摘要

本实用新型公开了一种半导体材料退火装置,涉及半导体制造技术领域,包括:转移室,转移室内设有载样台,转移室上活动设有样品传送装置;第一加热室,第一加热室与转移室相连通;第二加热室,第二加热室与转移室相连通;冷却室,冷却室与转移室相连通,冷却室用于对第一加热室或者第二加热室处理后的样品进行冷却处理;旋转升降机构,旋转升降机构与载样台相连接,所述旋转升降机构用于带动载样台并带着样品在第一加热室、第二加热室和冷却室之间进行转换。本申请的退火装置不仅可以实现连续加热,无需进行重复升温降温操作,有效降低工作过程能耗以及提高退火效率,且每个室既可以配合工作,也可以单独工作,进一步降低了生产成本。

基本信息
专利标题 :
一种半导体材料退火装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202220097760.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2022-01-14
授权号 :
CN216663301U
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
王蓉王芸霞皮孝东沈典宇杨德仁
申请人 :
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 :
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 :
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 :
盛影影
优先权 :
CN202220097760.9
主分类号 :
C30B33/02
IPC分类号 :
C30B33/02  C30B29/36  C23C16/26  C23C16/52  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/02
热处理
法律状态
2022-06-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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