半导体芯片退火炉
专利权的终止
摘要

本实用新型提供一种有气体保护功能的,具有快速退火功能的半导体芯片管式退火炉。外壁缠绕电阻丝、两端开口的刚玉管穿过加热炉炉体;气源与刚玉管一端相通;宽度略小于刚玉管的内径的石英样品架设置在刚玉管内;连动钢丝一端与石英样品架相连,另一端自刚玉管一端伸出;设置在石英样品架处的传感器与温度显示器相连;设置在炉膛内壁与刚玉管外壁之间的温度传感器接温度控制仪,温度控制仪的输出接固态继电器,固态继电器串联在电阻丝的供电电路中。本实用新型的样品退火温度可设定为室温至1200摄氏度;样品的退火温度可稳定在设定退火温度的正负一摄氏度以内。

基本信息
专利标题 :
半导体芯片退火炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720038144.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-06-01
授权号 :
CN201038133Y
授权日 :
2008-03-19
发明人 :
帅一辰范广涵周天明
申请人 :
帅一辰
申请人地址 :
210029江苏省南京市建邺区汉中门大街99号5幢505室
代理机构 :
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 :
汤志武
优先权 :
CN200720038144.1
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  H01L21/324  F27B17/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2010-09-01 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005261853
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2007200381441
申请日 : 20070601
授权公告日 : 20080319
2008-03-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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