与半导体元件的上面电极电连接的方法和结构
授权
摘要
本发明公开一种与半导体元件的上面电极电连接的结构以及制造这种结构的方法。与上面电极电连接的结构(10)包括具有横向尺寸的第一电极(50)、在第一电极上面的半导体元件(14)、以及在半导体元件上面的第二电极(30)。第二电极(30)具有比第一电极(50)的横向尺寸小的横向尺寸。导电硬掩模(42)覆盖在第二电极上面并且与第二电极电连接。导电硬掩模(42)具有与第一电极的横向尺寸基本相等的横向尺寸。导电接触元件(56)与导电硬掩模电连接。
基本信息
专利标题 ：
与半导体元件的上面电极电连接的方法和结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048883A
申请号 ：
CN200580036418.7
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-10-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
布赖恩·R.·布彻格雷戈里·W.·格里克威驰科利·W.·凯勒肯尼斯·H.·史密斯理查德·G.·威廉姆斯
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
康建峰
优先权 ：
CN200580036418.7
主分类号 ：
H01L43/00
IPC分类号 ：
H01L43/00 H01L21/00
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2009-04-08 ：
专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 飞思卡尔半导体公司
变更后权利人 : 艾沃思宾技术公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国得克萨斯
变更后权利人 : 美国亚利桑那
登记生效日 : 20090306
变更前权利人 : 飞思卡尔半导体公司
变更后权利人 : 艾沃思宾技术公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国得克萨斯
变更后权利人 : 美国亚利桑那
登记生效日 : 20090306
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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