制造具有外部接触连接的半导体元件的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
依据本发明的方法提供了载体1，在所述载体上在边界线100之间设置一个或多个半导体元件，半导体元件的半导体接触连接区域3位于载体1的第一表面200之上。然后在载体中引入具有倾斜侧壁108的圆锥形沟102，所述倾斜侧壁108沿着边界线100运转。在随后的方法步骤中形成将半导体接触连接区域3的至少一个连接至沟102的至少一个倾斜侧壁108的重新布线装置5。然后从与第一表面200相对的一侧变薄载体1。在这种情况中，变薄载体1，至少直至暴露沟底103。在变薄载体1之前立即施加的粘性载体6的去除之后，因此得到无导线的单片化半导体元件。
基本信息
专利标题 ：
制造具有外部接触连接的半导体元件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783447A
申请号 ：
CN200510118766.0
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
哈里·黑德勒托尓斯藤·迈耶
申请人 ：
印芬龙科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200510118766.0
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2009-01-28 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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