参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备。其中参数获取装置包括：挡板、法拉第杯和电流检测装置，所述挡板包括狭缝；所述挡板设于产生离子束流的离子束源和所述法拉第杯之间，被配置为在垂直于所述法拉第杯的高度方向移动，并阻挡所述离子束流，所述狭缝用于通过部分所述离子束流；所述法拉第杯被配置为在接收所述离子束流时产生电流；所述电流检测装置被配置为检测所述法拉第杯的电流大小，所述电流大小用于表征所述法拉第杯对应的电流密度。本申请能够快速准确地获取法拉第杯对应的电流密度，从而获取相关工艺参数。
基本信息
专利标题 ：
参数获取装置、方法、离子注入方法和半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388321A
申请号 ：
CN202210291961.7
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶卓朱红波
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘婧
优先权 ：
CN202210291961.7
主分类号 ：
H01J37/244
IPC分类号 ：
H01J37/244 H01J37/304 H01J37/317 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/244
检测器；所采用的组件或电路
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/244
申请日 : 20220324
申请日 : 20220324
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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