双载流子硅控整流器电路以及其形成方法
授权
摘要
一种双载流子硅控整流器电路以及其形成方法，用于静电放电防护。此硅控整流器电路包括一双载流子装置，形成于一半导体基板上。此双载流子装置包括至少一N型阱以及一P+材料。N型阱用以提供较高的电阻，而P+材料则作为一集电极，以提供一高电阻。至少一N型防护环以及一P型防护环围绕于双载流子装置，其中，当一静电放电事件发生时，双载流子装置的N型阱以及P+材料所提供的高电阻会提高导通速率。
基本信息
专利标题 ：
双载流子硅控整流器电路以及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825623A
申请号 ：
CN200510136573.8
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
游国丰李建兴施教仁杨富智
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510136573.8
主分类号 ：
H01L29/72
IPC分类号 ：
H01L29/72 H01L27/02 H01L23/60 H01L21/331 H01L21/82
法律状态
2008-09-24 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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