双向式硅控整流器
授权
摘要
本发明公开了一种双向式硅控整流器，其包含一轻掺杂半导体结构、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第一掺杂井区、一第二掺杂井区、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区与一第四重掺杂区。轻掺杂半导体结构、第一重掺杂区与第三重掺杂区属于第一导电型，第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一掺杂井区、第二掺杂井区、第二重掺杂区与第四重掺杂区属于第二导电型。第一轻掺杂区的第一部分位于第一掺杂井区的下方，第二轻掺杂区的第二部分位于第二掺杂井区的下方。
基本信息
专利标题 ：
双向式硅控整流器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109616509A
申请号 ：
CN201811168635.7
公开（公告）日 ：
2019-04-12
申请日 ：
2018-10-08
授权号 ：
CN109616509B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
陈致维林昆贤
申请人 ：
晶焱科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN201811168635.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/747 H01L27/02
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20181008
申请日 : 20181008
2019-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
