可控制接通的硅可控整流器
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一多级放大硅可控整流器包括一在硅可控整流器两相邻级之间的集成的电流控制电阻区，除硅可控整流器主级外，其他级均用于限制接通电流。硅可控整流器主要用来减小接通时di/dt故障，而无需在硅可控整流器内附加外部电路来限制。在接通期间，通过该区与硅可控整流器每级的发射极进行足够的隔开和充分的屏蔽和通过将电阻区与最低发射极区的一部分进行充分的隔开或屏蔽，可防止电流控制电阻区的调制，最低发射极区包含硅可控整流器前一级的接通等离子区。
基本信息
专利标题 ：
可控制接通的硅可控整流器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85105483A
申请号 ：
CN85105483.8
公开（公告）日 ：
1987-02-18
申请日 ：
1985-07-17
授权号 ：
CN1007765B
授权日 ：
1990-04-25
发明人 ：
坦普尔
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
王忠忠
优先权 ：
CN85105483.8
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74
法律状态
2001-03-07 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-01-02 ：
授权
1990-04-25 ：
审定
1988-01-13 ：
实质审查请求
1987-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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