一种可控硅整流器
授权
摘要
本实用新型公开了一种可控硅整流器，其中，包括N型半导体基体、第一P型扩散区、第二P型扩散区、N型扩散区、T1电极、G电极、T2电极，所述T1电极、G电极、T2电极与触发电路连接，所述触发电路包括用于驱动整流器并且起隔离作用的光电耦合器，所述光电耦合器上连接有三极管，所述光电耦合器通过三极管接收外接单片机的负脉冲信号，所述T2电极连接有触发限流的主电极电阻，所述G电极连接有防止误触发的门极电阻，通过光电耦合器、主电极电阻、门极电阻，有效减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，本实用新型中的可控硅整流器结构简单，触发电路中涉及的电子元器件较少，有效降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种可控硅整流器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020566662.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-16
授权号 ：
CN211670843U
授权日 ：
2020-10-13
发明人 ：
吴克勤
申请人 ：
佛山市顺德区国力电力电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市顺德区杏坛镇齐杏居委会杏坛工业区B04-3地块（全业大厦三楼）
代理机构 ：
北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李迪
优先权 ：
CN202020566662.6
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2020-10-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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