一种可控垂直浸渍液相外延膜生长装置
专利权的终止
摘要

一种可控垂直浸渍液相外延膜生长装置,包括,炉体,其具有一个一端开口的腔体结构,其开口处设炉盖,炉盖上开有通孔;第一发热体,设置于炉体腔体结构内侧;炉管,设于炉体腔体结构内,其底部放置耐火砖;坩埚,设于耐火砖上;籽晶杆,通过炉体炉盖伸入炉体腔体内的炉管腔内,对应于坩埚;炉体内壁开有凹槽;第二发热体,环设于炉体内壁凹槽内;第一、第二发热体均具有各自独立的温度控制系统;本实用新型通过设置第二发热体,通过控制坩埚上方的空气温度,以调节被衬底吸附的熔体的粘度,影响熔体在籽晶杆旋转主用下被甩熔体的量,使衬底底部吸附的熔体表面平整,并达到影响膜厚度的效果,保证垂直浸渍液相外延膜生长方法能够生长所需要的膜。

基本信息
专利标题 :
一种可控垂直浸渍液相外延膜生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720072276.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-07-06
授权号 :
CN201080508Y
授权日 :
2008-07-02
发明人 :
万尤宝张建新
申请人 :
嘉兴学院
申请人地址 :
314001浙江省嘉兴市越秀南路56号
代理机构 :
上海开祺知识产权代理有限公司
代理人 :
季良赳
优先权 :
CN200720072276.6
主分类号 :
C30B19/00
IPC分类号 :
C30B19/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B19/00
液相外延层生长
法律状态
2011-09-07 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101104708591
IPC(主分类) : C30B 19/00
专利号 : ZL2007200722766
申请日 : 20070706
授权公告日 : 20080702
终止日期 : 20100706
2008-07-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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