薄膜晶体管、反相器、逻辑器件和半导体器件的形成方法

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摘要

本发明涉及一种包括公共栅极的互补金属氧化物半导体(CMOS)薄膜晶体管、包括CMOS晶体管的逻辑器件、及CMOS薄膜晶体管的制造方法。在一个实施例中，CMOS薄膜晶体管包括基衬底和形成于基衬底上的半导体层。P沟道晶体管和N沟道晶体管形成于单一半导体层上以彼此相交且公共栅极形成于相交的区域。另外，肖特基势垒感应材料层形成于P沟道晶体管的源极和漏极上。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管、反相器、逻辑器件和半导体器件的形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1815740A

申请号：

CN200510131729.3

公开（公告）日：

2006-08-09

申请日：

2005-12-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金汶庆李兆运朴允童金桢雨

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510131729.3

主分类号：

H01L27/092

IPC分类号：

H01L27/092 H01L21/8238