一种沟槽RC-IGBT器件结构

授权

摘要

本实用新型公开了一种沟槽RC‑IGBT器件结构，主要包括RC‑IGBT器件本体，该RC‑IGBT器件本体集成IGBT与FRD于一体，所述RC‑IGBT器件本体主要包括N型衬底及设置在N型衬底顶部的N型电荷贮存层，N型电荷贮存层的顶部设置有P阱层，P阱层的上表面设置有若干组接触孔，所述接触孔包括相邻交错设置的IGBT接触孔和FRD接触孔，且相邻的IGBT接触孔和FRD接触孔之间设置有贯穿P阱层和N型电荷贮存层并延伸至N型衬底内部的沟槽，所述沟槽包括氧化层及设置在氧化层内的多晶硅，沟槽的底部横截面为半圆形；所述N型衬底的底部设置有由P型杂质和N型杂质交错布置形成的N型场终止层。

基本信息

专利标题：

一种沟槽RC-IGBT器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021348573.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-10

授权号：

CN212365970U

授权日：

2021-01-15

发明人：

伽亚帕·维拉玛·苏巴斯永福

申请人：

嘉兴斯达半导体股份有限公司

申请人地址：

浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号

代理机构：

杭州九洲专利事务所有限公司

代理人：

陈琦

优先权：

CN202021348573.0

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/739 H01L27/06 H01L21/331