自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件

专利权的终止

摘要

本发明提供自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件。自立式衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(a)～(c)。(a)在衬底上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。另外，自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(s1)、(a)、(b)及(c)。(s1)在衬底上生长缓冲层的工序、(a)在缓冲层上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。半导体发光元件包括所述的自立式衬底、传导层、发光层及电极。

基本信息

专利标题：

自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101147236A

申请号：

CN200680008951.7

公开（公告）日：

2008-03-19

申请日：

2006-03-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

上田和正西川直宏土田良彦

申请人：

住友化学株式会社

申请人地址：

日本国东京都

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱丹

优先权：

CN200680008951.7

主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

H01L21/205 H01L33/00 C23C16/01 C23C16/34

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

H01L21/205

应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积

法律状态

2021-03-12 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/205
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20200320

2009-03-25 ：

授权

2008-05-14 ：

实质审查的生效

2008-03-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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