具有图案的衬底及其制造方法，和半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种具有图案的衬底的制造方法，该方法能够控制邻近薄膜图案之间的距离，还提供了具有窄宽度和厚度的图案的衬底的制造方法，该方法能够控制薄膜图案之间的宽度。本发明提供了一种具有用作具有在电感方面变化较小并具有大电动势的天线的导电膜的衬底的制造方法，以及提供一种具有高产量的半导体器件的制造方法。在衬底、绝缘膜、或导电膜上方形成其中硅与氧结合并且非活性基团与硅结合的薄膜之后，在其上通过印刷法印刷组合物，并烘烤以形成薄膜图案。
基本信息
专利标题 ：
具有图案的衬底及其制造方法，和半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832151A
申请号 ：
CN200610004003.8
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
青木智幸大力浩二
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
韦欣华
优先权 ：
CN200610004003.8
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2019-01-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/00
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20110713
终止日期 : 20180128
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20110713
终止日期 : 20180128
2011-07-13 ：
授权
2008-01-30 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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