一种具有热载流子冷却层的半导体发光元件
实质审查的生效
摘要

本发明涉及半导体光电器件的技术领域,特别是涉及一种具有热载流子冷却层的半导体元件,从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体、多量子阱、快速热载流子冷却层和第二导电型半导体,第二导电型半导体和多量子阱之间具有快速热载流子冷却层;快速热载流子冷却层中的第一高Al元素强度层、第二低Al元素强度层、第三高Al元素强度层通过Al元素强度梯度变化和Mg元素浓度的梯度变化及其组合变化效应形成电子与声子耦合界面,抑制热声子效应,调控热载流子弛豫,热载流子寿命提升1个数量级以上,延缓光学纵模声子的衰减,实现热载流子的快速冷却,减少热载流子被缺陷及深能级俘获和带间转换,提升半导体发光元件的发光效率。

基本信息
专利标题 :
一种具有热载流子冷却层的半导体发光元件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497334A
申请号 :
CN202210160606.6
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
丁志鹏
申请人 :
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址 :
安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
代理机构 :
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
戴丽伟
优先权 :
CN202210160606.6
主分类号 :
H01L33/64
IPC分类号 :
H01L33/64  H01L33/06  H01L33/32  H01L33/30  H01L33/26  
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/64
申请日 : 20220217
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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