一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法，其中纵向载流子调制高功率半导体发光芯片包括：有源层；位于有源层上的第一半导体单元层，第一半导体单元层包括接触掺杂层，第一半导体单元层包括至少位于接触掺杂层中且在慢轴方向上排布的若干个电流阻挡区，相邻的电流阻挡区之间的第一半导体单元层作为电流注入区；有源层中的电流密度函数满足：
；
；其中：
，
；在腔长方向上任意位置处对应的各所述电流注入区和各所述电流阻挡区的平均电阻率
满足：
，
为
的系数。纵向载流子调制高功率半导体发光芯片的阈值电流小，电光转换效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583556A
申请号 ：
CN202210477824.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谭少阳王俊张立晨张宇荧赵武赵润邓国亮杨火木周昊张弘廖新胜
申请人 ：
苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛异荣
优先权 ：
CN202210477824.2
主分类号 ：
H01S5/22
IPC分类号 ：
H01S5/22
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
