一种高功率芯片
授权
摘要
本实用新型一种高功率芯片，包括压敏电阻瓷体和设置在所述压敏电阻瓷体表面上的复合铜电极，所述复合铜电极包括第一铜电极，其设置在所述压敏电阻瓷体的表面，与所述压敏电阻瓷体的表面直接接触，第二铜镀层，其设置在所述第一铜电极的表面，所述第二铜镀层在2‑5微米，本实用新型结构简单，将镀铜层厚度限制在2‑5微米，减少了成本投入，不改变其良好性能，保证了良好的导电、结合力等性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高功率芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022276679.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN213042740U
授权日 ：
2021-04-23
发明人 ：
唐宁陈乔
申请人 ：
昆山昊盛泰纳米科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山开发区风琴路108号6号房
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘晓明
优先权 ：
CN202022276679.0
主分类号 ：
H01C7/10
IPC分类号 ：
H01C7/10 H01C1/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
H01C7/10
电压响应的，即压敏电阻器
法律状态
2021-04-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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