衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体制造领域,具体而言,涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备,用于在反应前对衬底进行预热,包括:预热装置、反应装置、移动装置、控制器,控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接,用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息,还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度,在反应装置需要装入新的衬底时,控制预热装置升温和反应装置降温,并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时,同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温,并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中,本申请通过上述系统,实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制,提高了衬底的预热效率。
基本信息
专利标题 :
衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114540800A
申请号 :
CN202210171589.6
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孔倩茵唐卓睿王慧勇刘欣毛朝斌
申请人 :
季华实验室
申请人地址 :
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 :
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈志超
优先权 :
CN202210171589.6
主分类号 :
C23C16/46
IPC分类号 :
C23C16/46 C30B25/02 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/46
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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