一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质
实质审查的生效
摘要

本申请涉及外延炉技术领域,具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质,该系统包括:传送腔;存片腔,与所述传送腔连接;氢气吸收装置,设置在所述传送腔内,用于吸收所述传送腔内的氢气;氢气浓度检测装置,设置在所述传送腔内,用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息;控制器,用于在对存片腔进行晶片上料或下料前,获取所述氢气浓度信息,还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时,控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值;通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气,无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作,从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间,提高外延炉的运行效率。

基本信息
专利标题 :
一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318518A
申请号 :
CN202111665014.1
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王鑫高桑田钟新华仇礼钦盛飞龙唐卓睿戴科峰
申请人 :
季华实验室
申请人地址 :
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 :
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈志超
优先权 :
CN202111665014.1
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00  C30B23/02  C30B25/14  C30B25/16  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20211231
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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