一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质
实质审查的生效
摘要
本申请涉及晶片冷却技术领域，具体提供了一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质，其包括：预抽真空腔；供气装置，安装在所述预抽真空腔上，所述供气装置用于释放吹扫气体；冷却装置，设置在所述预抽真空腔内，用于冷却所述吹扫气体；第一测温装置，用于测量所述晶片的温度；控制器，用于控制所述供气装置释放所述吹扫气体以冷却所述晶片，还用于在所述晶片的温度小于或等于预设的第一阈值时，控制所述冷却装置冷却所述吹扫气体；在不发生晶片翘曲的前提下，通过控制吹扫气体的温度以实现使晶片和与晶片接触的吹扫气体保持一定的温度差，从而提高了预抽真空腔的冷却速率和外延炉的生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种外延炉晶片冷却系统、方法、电子设备及存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540799A
申请号 ：
CN202210145533.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡承唐敢然徐兴龙吴彩庭刘欣
申请人 ：
季华实验室
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 ：
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈志超
优先权 ：
CN202210145533.3
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46 C30B25/16 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/46
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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