一种外延设备冷却系统和方法
实质审查的生效
摘要

本发明实施例公开了一种外延设备冷却系统和方法,该系统包括:加热模块,所述加热模块经配置为能够以不同的加热功率向外延片进行热辐射;控制模块,用于当所述外延片的上表面测量温度和下表面测量温度之间的温度差大于预设阈值时,向所述加热模块发送控制信号以控制所述加热模块的功率使得所述温度差小于所述预设阈值。通过控制模块和加热模块保障外延片的上表面测量温度与下表面测量温度的温度差在合理范围内,有效减小了外延片的边缘应力,获得符合工艺要求的外延片。

基本信息
专利标题 :
一种外延设备冷却系统和方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481314A
申请号 :
CN202210108042.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
席勇王力
申请人 :
西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 :
西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李斌栋
优先权 :
CN202210108042.1
主分类号 :
C30B25/16
IPC分类号 :
C30B25/16  C30B25/20  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/16
控制或调节
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/16
申请日 : 20220128
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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