导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
专利权的终止
摘要
本发明揭示导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法。导电的非极化的复合氮化镓基衬底的一个实施实例:导电的反射/欧姆/应力缓冲层层叠在导电的支持衬底和导电的非极化的氮化镓基外延层之间。导电的非极化的复合氮化镓基衬底的生产方法的主要工艺步骤如下:在生长衬底上,依次生长中间媒介层(或晶核层)和非极化的第一氮化镓基外延层,层叠掩膜层,蚀刻掩膜层形成氮化镓窗口和掩膜层条,生长导电的非极化的第二氮化镓外延层,层叠导电的反射/欧姆/应力缓冲层,键合导电的支持衬底,剥离生长衬底、中间媒介层(或晶核层)、非极化的第一氮化镓外延层、掩膜层条、和导电的非极化的第二氮化镓外延层中带有空洞的部分,热处理。
基本信息
专利标题 :
导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1845350A
申请号 :
CN200610067523.3
公开(公告)日 :
2006-10-11
申请日 :
2006-02-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
彭晖彭一芳
申请人 :
金芃;彭晖
申请人地址 :
100871北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200610067523.3
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00 H01L21/18 H01L21/20
法律状态
2014-04-16 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101581380768
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100675233
申请日 : 20060226
授权公告日 : 20091007
终止日期 : 20130226
号牌文件序号 : 101581380768
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100675233
申请日 : 20060226
授权公告日 : 20091007
终止日期 : 20130226
2013-08-14 :
专利权的保全及其解除
专利权保全的解除号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101649260782
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100675233
申请日 : 20060226
授权公告日 : 20091007
登记生效日 : 无
解除日 : 20130716
号牌文件序号 : 101649260782
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100675233
申请日 : 20060226
授权公告日 : 20091007
登记生效日 : 无
解除日 : 20130716
2013-05-29 :
专利权的保全及其解除
专利权的保全号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101597203685
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100675233
申请日 : 20060226
授权公告日 : 20091007
登记生效日 : 20130423
解除日 : 无
号牌文件序号 : 101597203685
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100675233
申请日 : 20060226
授权公告日 : 20091007
登记生效日 : 20130423
解除日 : 无
2011-04-20 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101081280780
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100675233
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 金芃
变更后权利人 : 亚威朗光电(中国)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100871 北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号
变更后权利人 : 314305 浙江省海盐县大桥新区经济开发区银滩路1号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 彭晖
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20110314
号牌文件序号 : 101081280780
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100675233
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 金芃
变更后权利人 : 亚威朗光电(中国)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100871 北京市海淀区北京大学燕东园33楼112号
变更后权利人 : 314305 浙江省海盐县大桥新区经济开发区银滩路1号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 彭晖
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20110314
2009-10-07 :
授权
2008-04-02 :
实质审查的生效
2006-10-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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