反向极化的Ⅲ族氮化物发光器件
授权
摘要
一种器件结构，包括设置在p型区(54、58)和n型区(56)之间的III族氮化物纤锌矿半导体发光区(53)。键合的界面(50)设置在两个表面之间，其中的一个表面是所说器件结构的表面。键合的界面便于在发光区中纤锌矿c轴的取向，该取向限制发光区中的载流子，有可能增加在高电流密度情况下的效率。
基本信息
专利标题 ：
反向极化的Ⅲ族氮化物发光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164209A
申请号 ：
CN200680008336.6
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·J·小韦勒M·G·克拉福特J·埃普勒M·R·卡拉梅斯
申请人 ：
飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
龚海军
优先权 ：
CN200680008336.6
主分类号 ：
H01S5/02
IPC分类号 ：
H01S5/02 H01S5/323 H01S5/32 H01L33/00
法律状态
2011-07-06 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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