氮化物发光器件的反向极化发光区域
授权
摘要
半导体发光器件包括配置在n型区域和p型区域之间的发光层。发光层可以是具有厚度至少50埃的纤锌矿III－氮化物层。发光层可以具有与常规纤锌矿III－氮化物层反向的极化，以便穿过发光层和p型区域之间的界面，纤锌矿c轴指向发光层。c轴的这种定向可以在p型区域内的界面处或其边缘处产生负的层电荷，给发光层中的电荷载流子提供势垒。
基本信息
专利标题 ：
氮化物发光器件的反向极化发光区域
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101160669A
申请号 ：
CN200680005297.4
公开（公告）日 ：
2008-04-09
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
Y·－C·沈M·R·克拉默斯N·F·加德纳
申请人 ：
飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
龚海军
优先权 ：
CN200680005297.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2010-09-29 ：
授权
2008-06-04 ：
实质审查的生效
2008-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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